MRF8S21120HR3 MRF8S21120HSR3
5
RF Device Data
Freescale Semiconductor
TYPICAL CHARACTERISTICS
IRL, INPUT RETURN LOSS (dB)
2060
IRL
Gps
ACPR
f, FREQUENCY (MHz)
Figure 2. Output Peak--to--Average Ratio Compression (PARC)
Broadband Performance @ Pout
= 28 Watts Avg.
0
-- 1 2
-- 2 4
17.3
18.1
18
17.9
-- 3 8
37
36
35
33
-- 3 3
-- 3 4
η
D
, DRAIN
EFFICIENCY (%)
ηD
G
ps
, POWER GAIN (dB)
17.8
17.7
17.6
17.5
17.4
2080 2100 2120 2140 2160 2180 2200 2220
34
-- 3 5
-- 3 0
PARC
PARC (dB)
-- 1 . 2
-- 1 . 3
-- 1 . 4
-- 1 . 5
-- 1 . 7
ACPR (dBc)
Figure 3. Intermodulation Distortion Products
versus Two--Tone Spacing
TWO--TONE SPACING (MHz)
1 10010
-- 2 0
-- 3 0
-- 5 0
IMD, INTERMODULATIO
N DISTORTION (dBc)
-- 4 0
IM3--L
IM5--U
IM7--U
VDD
=28Vdc,Pout
= 80 W (PEP), IDQ
= 850 mA
Two--Tone Measurements
(f1 + f2)/2 = Center Frequency of 2140 MHz
Figure 4. Output Peak--to--Average Ratio
Compression (PARC) versus Output Power
1
Pout, OUTPUT POWER (WATTS)
-- 1
-- 3
-- 5
20
0
-- 2
OUTPUT COMPRESSION AT 0.01%
PROBABILITY ON CCDF (dB)
0
40 60 10080
0
60
40
30
20
η
D
,
DRAIN EFFICIENCY (%)
ηD
ACPR
PARC
ACPR (dBc)
-- 6 5
-- 5
-- 2 5
-- 1 5
-- 3 5
19
G
ps
, POWER GAIN (dB)
17
18
16
15
13
Gps
-- 2 d B = 3 6 W
-- 3 d B = 4 8 W
-- 6 0
-- 1 0
IM7--L
17.2
17.1
-- 3 6
Input Signal PAR = 7.5 dB @ 0.01%
-- 3 7
Probability on
CCDF
-- 1 8
-- 1 . 6
14
-- 4
-- 4 5
50
-- 1 d B = 2 6 W
-- 6
-- 5 5
10
IM5--L
IM3--U
VDD
=28Vdc,IDQ
= 850 mA
f = 2140 MHz
Single--Carrier W--CDMA
3.84 MHz Channel Bandwidth, Input Signal
PAR = 7.5 dB @ 0.01% Probability on
CCDF
VDD=28Vdc,Pout
=28W(Avg.),IDQ
= 850 mA
Single--Carrier W--CDMA, 3.84 MHz Channel
Bandwidth
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。
相关PDF资料
MRF8S21140HSR3
FET RF N-CH 2GHZ 28V NI780S
MRF8S21200HSR6
MOSFET RF N-CH 48W NI-1230HS
MRF8S23120HSR5
MOSFET RF N-CH 120W NI-780S
MRF8S26120HSR3
FET RF N-CH 2.6GHZ 28V NI780S
MRF8S7170NR3
FET RF N-CH 700MHZ 28V OM780-2
MRF8S9100HSR5
MOSFET RF N-CH 100W NI-780S
MRF8S9120NR3
FET RF N-CH 900MHZ QM780-2
MRF8S9170NR3
FET RF N-CH 900MHZ 28V OM780-2
相关代理商/技术参数
MRF8S21120HSR5
功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV8 2.1GHZ 120W NI780HS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
MRF8S21140HR3
功能描述:射频MOSFET电源晶体管 RF FET HV8 2GHZ 140W NI780 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
MRF8S21140HR5
功能描述:射频MOSFET电源晶体管 RF FET HV8 2GHZ 140W NI780 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
MRF8S21140HSR3
功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV8 2GHZ 140W NI780S RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
MRF8S21140HSR5
功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV8 2GHZ 140W NI780S RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
MRF8S21172HR3
功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV8 2.1GHZ 42W NI780H RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
MRF8S21172HR3_12
制造商:FREESCALE 制造商全称:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistors
MRF8S21172HR5
功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV8 2.1GHZ 42W NI780H RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray